ISL6625ACRZ-T অর্ধ-ব্রিজ গেট ড্রাইভার আইসি নন-ইনভার্টিং 8-DFN (2x2)
ISL6625ACRZ-T অর্ধ-ব্রিজ গেট ড্রাইভার আইসি নন-ইনভার্টিং 8-DFN (2x2)
| রেনেসাস ইলেকট্রনিক্স | |
| প্রোডাক্ট বিভাগঃ | গেট ড্রাইভার |
| RoHS: | বিস্তারিত |
| MOSFET গেট ড্রাইভার | |
| উচ্চ-পার্শ্ব, নিম্ন-পার্শ্ব | |
| এসএমডি/এসএমটি | |
| ২ ড্রাইভার | |
| ২ আউটপুট | |
| ২০ এমএ | |
| 5.5 ভোল্ট | |
| 13.২ ভোল্ট | |
| ৩১ এনএস | |
| ১৮ এনএস | |
| ০ সি | |
| + ৭০ সি | |
| ISL6625A | |
| রিল | |
| কট টেপ | |
| ব্র্যান্ডঃ | রেনেসাস / ইন্টারসিল |
| উচ্চতা: | 0.9 মিমি |
| দৈর্ঘ্যঃ | ২ মিমি |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলঃ | হ্যাঁ। |
| পণ্যের ধরনঃ | গেট ড্রাইভার |
| উপবিভাগঃ | পিএমআইসি - পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট আইসি |
| প্রযুক্তিঃ | হ্যাঁ |
| প্রস্থঃ | ২ মিমি |
| একক ওজনঃ | 0.000388 ওনস |
ISL6625A একটি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি MOSFET ড্রাইভার যা উচ্চতর এবং নিম্ন শক্তি N-চ্যানেল চালানোর জন্য ডিজাইন করা হয়েছে
এসিঙ্ক্রোনস রেটিফাইড বাক কনভার্টার টপোলজিতে MOSFETs। ISL6625A এ, উপরের এবং নীচের গেটগুলি
উভয়ই বাহ্যিকভাবে প্রয়োগ করা ভোল্টেজের দিকে চালিত হয়। এটি অ্যাপ্লিকেশনগুলিকে অপ্টিমাইজ করার ক্ষমতা প্রদান করে যা
গেইট চার্জ এবং কন্ডাকশন ক্ষতির মধ্যে সমঝোতা।
একযোগে উপরের এবং নীচের উভয় MOSFETs থেকে conductingpreventingand to minimize
ISL6625A এর 10kΩ ইন্টিগ্রেটেড হাই-সাইড গেট-টু-সোর্স রেসিস্টর
এই ড্রাইভারে একটি ওভারভোল্টেজ সুরক্ষা বৈশিষ্ট্যও রয়েছে যা ভিসিসি চলাকালীন কার্যকর।
PHASEnode নিম্ন পাশের MOSFET (LGATE) এর গেটের সাথে সংযুক্ত করা হয়
একটি 30kΩ রেজিস্টার, যা কনভার্টারটির আউটপুট ভোল্টেজকে নিম্ন পাশের MOSFET এর গেট থ্রেশহোল্ডের কাছাকাছি সীমাবদ্ধ করে।
এটি বর্তমানের উপর নির্ভর করে, যা লোডের জন্য কিছু সুরক্ষা প্রদান করে যদি উপরের
এমওএসএফইটিগুলি সংক্ষিপ্ত হয়ে যায়।
অ্যাপ্লিকেশন
• উচ্চ হালকা লোড দক্ষতা ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রক
• উন্নত মাইক্রোপ্রসেসরগুলির জন্য কোর নিয়ন্ত্রক
• উচ্চ বর্তমানের ডিসি/ডিসি রূপান্তরকারী
বৈশিষ্ট্য
• সিঙ্ক্রোনিক রেটিক্টেড ব্রিজের জন্য ডুয়াল এমওএসএফইটি ড্রাইভ
• উন্নত অভিযোজিত শূন্য শট-থ্রু সুরক্ষা- PHASE সনাক্তকরণ- LGATE সনাক্তকরণ- rDS ((ON) পরিবাহী অফসেট প্রভাবের স্বয়ংক্রিয় শূন্য
• নিম্ন স্ট্যান্ডবাই বিয়ারেজ বর্তমান
• 36 ভোল্টের অভ্যন্তরীণ বুটস্ট্র্যাপ সুইচার
• বুটস্ট্র্যাপ ক্যাপাসিটর অতিরিক্ত চার্জিং প্রতিরোধ
• উচ্চ ইনপুট বাস dV/dt এর কারণে স্বয়ংক্রিয়ভাবে চালু হওয়া রোধ করার জন্য ইন্টিগ্রেটেড উচ্চ-পার্শ্ব গেট-টু-সোর্স রেসিস্টর
• স্টার্ট আপ এবং বন্ধ করার জন্য প্রাক-পিওআর ওভারভোল্টেজ সুরক্ষা
• পাওয়ার রেলের কম ভোল্টেজ সুরক্ষা
• উন্নত তাপ নিমজ্জন জন্য প্রসারিত নীচের তামা প্যাড
• দ্বৈত সমতল সীসা-মুক্ত (ডিএফএন) প্যাকেজ- প্রায় চিপ-স্কেল প্যাকেজ ফুটপ্রিন্ট; পিসিবি দক্ষতা উন্নত করে এবং প্রোফাইলটি পাতলা হয়• পিবি-মুক্ত (রোএইচএস-সম্মত)
