LF412ACN J-FET এম্প্লিফায়ার 2 সার্কিট 8-PDIP ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট আইসি
LF412ACN J-FET
,LF412ACN J-FET এম্প্লিফায়ার আইসি
,এম্প্লিফায়ার ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট আইসি
LF412ACN J-FET এম্প্লিফায়ার 2 সার্কিট 8-PDIP ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট আইসি
| টেক্সাস ইনস্ট্রুমেন্টস | |
| প্রোডাক্ট বিভাগঃ | অপারেশনাল এম্প্লিফায়ার - অপশন এম্প্লিফায়ার |
| RoHS: | এন |
| চ্যানেল ২ | |
| ৪ মেগাহার্টজ | |
| ১৫ ভি/ইউএস | |
| ১ এমভি | |
| ২০০ পিএ | |
| ৪৪ ভি, +/- ২২ ভি | |
| ১০ ভোল্ট, +/- ৫ ভোল্ট | |
| 5.6 এমএ | |
| ৮০ ডিবি | |
| 25 এনভি/স্কয়ার হার্টজ | |
| PDIP-8 | |
| গর্তের মধ্য দিয়ে | |
| কোন বন্ধ নেই | |
| ০ সি | |
| + ৭০ সি | |
| LF412-N | |
| টিউব | |
| ব্র্যান্ডঃ | টেক্সাস ইনস্ট্রুমেন্টস |
| ডাবল এফাইড ভোল্টেজঃ | +/- ৯ ভোল্ট, +/- ১২ ভোল্ট, +/- ১৫ ভোল্ট, +/- ১৮ ভোল্ট |
| উচ্চতা: | 3.3 মিমি |
| ইনপুট-ইনপুট গোলমাল বর্তমান ঘনত্বঃ | 0.01 পিএ/স্কয়ার হার্টজ |
| দৈর্ঘ্যঃ | 9.27 মিমি |
| সর্বাধিক ডাবল সরবরাহ ভোল্টেজঃ | +/- ২২ ভোল্ট |
| ন্যূনতম দ্বৈত সরবরাহ ভোল্টেজঃ | +/- ৫ ভোল্ট |
| অপারেটিং সাপ্লাই ভোল্টেজঃ | 10V থেকে 44V, +/- 5V থেকে +/- 22V |
| Pd - শক্তি অপচয়ঃ | ৬৭০ এমডব্লিউ |
| পণ্যঃ | অপারেশনাল এম্প্লিফায়ার |
| পণ্যের ধরনঃ | অপারেশন এম্প্লিফায়ার - অপারেশনাল এম্প্লিফায়ার |
| PSRR - পাওয়ার সাপ্লাই প্রত্যাখ্যান অনুপাতঃ | ৮০ ডিবি |
| উপবিভাগঃ | এম্প্লিফায়ার আইসি |
| সরবরাহের ধরন: | দ্বৈত |
| প্রযুক্তিঃ | বিএফইটি |
| ভোল্টেজ গেইন ডিবিঃ | 106.02 ডিবি |
| প্রস্থঃ | 6.35 মিমি |
| একক ওজনঃ | 0.026879 ওনস |
বর্ণনা
এই ডিভাইসগুলি কম খরচে, উচ্চ গতির, খুব কম ইনপুট অফসেটের সাথে JFET ইনপুট অপারেশনাল এম্প্লিফায়ার
ভোল্টেজ এবং ইনপুট অফসেট ভোল্টেজ ড্রাইভ। তারা কম সরবরাহের বর্তমানের প্রয়োজন তবে একটি বড় লাভ ব্যান্ডউইথ বজায় রাখে
পণ্য এবং দ্রুত slaw হার. উপরন্তু ভাল মিলে যাওয়া উচ্চ ভোল্টেজ JFET ইনপুট ডিভাইস খুব কম প্রদান
LF412-N ডুয়ালটি LM 1558 এর সাথে পিন সামঞ্জস্যপূর্ণ, যা ডিজাইনারদের
o বিদ্যমান ডিজাইনগুলির সামগ্রিক পারফরম্যান্স অবিলম্বে উন্নত করা।
এই এম্প্লিফায়ারগুলি উচ্চ গতির ইন্টিগ্রেটর, দ্রুত ডি / এ রূপান্তরকারী, নমুনা
এবং হোল্ড সার্কিট এবং অন্যান্য অনেক সার্কিট যার জন্য কম ইনপুট অফসেট ভোল্টেজ এবং ড্রিফট প্রয়োজন, কম ইনপুট বিচ্যুতির বর্তমান,
উচ্চ ইনপুট ইম্পেড্যান্স, উচ্চ স্লিভ রেট এবং বিস্তৃত ব্যান্ডউইথ।
বৈশিষ্ট্য
-- ইনটেমলি ট্রিমড অফসেট ভোল্টেজঃ ১ এমভি (সর্বোচ্চ)
--ইনপুট অফসেট ভোল্টেজ ড্রিফটঃ ৭ মাইক্রোভোল্ট/°সি (টাইপ)
--নিম্ন ইনপুট বায়াস বর্তমানঃ ৫০ পিএ
--নিম্ন ইনপুট গোলমাল বর্তমানঃ 0.01 pA 1 vHz
--বিশাল লাভের ব্যান্ডউইথঃ ৩ মেগাহার্টজ (মিনিট)
--হাই স্লো রেটঃ ১০ ভোল্ট/মাইক্রো সেকেন্ড (মিনিট)
--নিম্ন সরবরাহ বর্তমানঃ ১.৮ এমএ/অ্যাম্প্লিফায়ার
--উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতাঃ ১০১২০
--নিম্ন মোট হারমোনিক বিকৃতিঃ ≤0.02%
--নিম্ন 1/f গোলমাল কোণঃ 50 Hz
--দ্রুত স্থিতিস্থাপক সময় 0.01%: 2 us
অ্যাপ্লিকেশন
-- হাই স্পিড ইন্টিগ্রেটর
--ফাস্ট ডিআইএ কনভার্টার
-- নমুনা এবং হোল্ড সার্কিট
