IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns Async SRAM 3.3v ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট ICs
IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns এসিঙ্ক SRAM 3.3v
| আইএসএসআই | |
| প্রোডাক্ট বিভাগঃ | এসআরএএম |
| RoHS: | বিস্তারিত |
| ৪ এমবিট | |
| ৫১২ কে এক্স ৮ | |
| ১০ এনএস | |
| - | |
| সমান্তরাল | |
| 3.6 ভোল্ট | |
| 2.4 ভোল্ট | |
| ৪৫ এমএ | |
| - ৪০ সি | |
| + ৮৫ সি | |
| এসএমডি/এসএমটি | |
| TSOP-44 | |
| টিউব | |
| ব্র্যান্ডঃ | আইএসএসআই |
| মেমরি টাইপঃ | এসডিআর |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলঃ | হ্যাঁ। |
| বন্দর সংখ্যাঃ | 1 |
| পণ্যের ধরনঃ | এসআরএএম |
| সিরিজ: | IS61WV5128BLL |
| উপবিভাগ: | মেমরি ও ডেটা স্টোরেজ |
| প্রকারঃ | অ্যাসিনক্রোন |
| একক ওজনঃ | 0.016579 ওনস |
বর্ণনা
ISSI IS61WV5128Axx এবং IS61/64WV5128Bxx
খুব উচ্চ গতির, কম শক্তি, 524,288 শব্দ দ্বারা
8-বিট সিএমওএস স্ট্যাটিক র্যাম। IS61 WV5128Axx এবং
IS61/64WV5128Bxx ISST এর উচ্চ-
এই অত্যন্ত নির্ভরযোগ্য
নতুন নতুন সার্কিট ডিজাইনের প্রযুক্তির সাথে যুক্ত।
উচ্চতর পারফরম্যান্স এবং কম শক্তি খরচ দেয়
ডিভাইস।
যখন সিই উচ্চ হয় (নির্বাচিত না করা), ডিভাইসটি অনুমান করে
একটি স্ট্যান্ডবাই মোড যেখানে শক্তি অপচয় হতে পারে
সিএমওএস ইনপুট স্তরের সাথে হ্রাস পেয়েছে।
IS61WV5128Axx এবং IS61/64WV5128Bxx কাজ করে
একক পাওয়ার সাপ্লাই থেকে।
IS61WV51 28ALL এবং IS61/64WV5128BLL পাওয়া যায়।
৩৬-পিন ৪০০ মিলি SOJ, ৩৬-পিন মিনি BGA এবং ৪৪-পিন
TSOP (টাইপ I) প্যাকেজ।
IS61WV5128ALS এবং IS6 1/64WV5128BLS হল
৩২ পিনের sTSOP (টাইপ I), ৩২ পিনের sTSOP (টাইপ I)
৩২ পিনের এসওপি এবং ৩২ পিনের টিএসওপি (টাইপ আই১) প্যাকেজ।
বৈশিষ্ট্য
উচ্চ গতিঃ (IS61/64WV5128ALLBLL)
●উচ্চ গতির অ্যাক্সেসের সময়ঃ8১০, ২০ এনএস
● নিম্ন সক্রিয় শক্তিঃ 85 এমডাব্লু (সাধারণ)
●নিম্ন স্ট্যান্ডবাই শক্তিঃ 7 এমডাব্লু (সাধারণ)
সিএমওএস স্ট্যান্ডবাই
নিম্ন শক্তিঃ (IS61/64WV5128AL S/BLS)
●উচ্চ গতির অ্যাক্সেসের সময়ঃ 25, 35 এনএস
●নিম্ন সক্রিয় শক্তিঃ 35 এমডাব্লু (সাধারণ)
●নিম্ন স্ট্যান্ডবাই পাওয়ারঃ 0.6 এমডাব্লু (সাধারণ)
সিএমওএস স্ট্যান্ডবাই
●একক বিদ্যুৎ সরবরাহ
- Voo 1.65V থেকে 2.2V (IS61 WV5128Axx)
- VoD 2.4V থেকে 3.6V (IS61/64WV5128Bxx)
●সম্পূর্ণ স্ট্যাটিক অপারেশনঃ কোনও ঘড়ি বা রিফ্রেশ নেই
প্রয়োজন
●তিনটি রাজ্যের আউটপুট
●শিল্প ও অটোমোটিভ তাপমাত্রা সমর্থন
●খাঁজ মুক্ত
IS61WV5128BLL-10TLI একটি মেমরি ডিভাইসের জন্য একটি নির্দিষ্ট অংশ নম্বর। এটি একটি 128 এমবি (মেগাবিট) অ্যাসিনক্রোন
ইন্টিগ্রেটেড সিলিকন সলিউশন ইনক (আইএসএসআই) দ্বারা নির্মিত স্ট্যাটিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি (এসআরএএম) মডিউল।
এখানে এই বিশেষ মেমরি ডিভাইস সম্পর্কে কিছু তথ্য দেওয়া হল:
- মেমোরি ক্যাপাসিটিঃ ১২৮ মেগাবাইট (এমবি) বা ১৬ মেগাবাইট (এমবি)
- মেমরির ধরনঃ অ্যাসিনক্রোন এসআরএএম
- অ্যাক্সেস সময়ঃ ১০ এনএস (ন্যানোসেকেন্ড)
- সংগঠনঃ ৪টি ব্যাংক x ৪,০৯৬টি সারি x ২,০৪৮টি কলাম
- প্যাকেজের ধরনঃ ৪৪-পিন টিএসওপি (থিন-স্মল-কন্ট্রোল প্যাকেজ)
- তাপমাত্রা পরিসীমাঃ শিল্প (-40°C থেকে +85°C)
- ভোল্টেজ সরবরাহঃ IS61WV5128BLL-10TLI 2.7V থেকে 3.6V এর ভোল্টেজ সরবরাহের পরিসীমা দিয়ে কাজ করে।
- ঘনত্ব: মেমোরি ডিভাইসের ঘনত্ব ১২৮ মেগাবাইট (এমবি), যা ১৬ মেগাবাইট (এমবি) এর সমতুল্য।
- অ্যাক্সেস টাইমঃ অ্যাক্সেস টাইম সেই গতি নির্দিষ্ট করে যার সাথে ডেটা মেমরি থেকে পড়তে বা লিখতে পারে।
- এই ক্ষেত্রে, অ্যাক্সেসের সময় 10 ন্যানোসেকেন্ড (এনএস), যা তুলনামূলকভাবে দ্রুত অপারেশন নির্দেশ করে।
- সংগঠনঃ মেমরিটি ৪ টি ব্যাংকে সংগঠিত, প্রতিটি ব্যাংকে ৪,০৯৬টি সারি এবং ২,০৪৮টি কলাম রয়েছে।
- এই সংগঠনটি কার্যকরভাবে তথ্য সংরক্ষণ এবং পুনরুদ্ধার করতে সক্ষম করে।
- প্যাকেজ টাইপঃ IS61WV5128BLL-10TLI একটি 44-পিন TSOP (থিন ছোট-আউটলাইন প্যাকেজ) ফর্ম ফ্যাক্টর আসে।
- এই প্যাকেজটি সাধারণভাবে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের জন্য ব্যবহৃত হয় এবং সহজ ইন্টিগ্রেশন জন্য একটি কম্প্যাক্ট নকশা প্রদান করে
- ইলেকট্রনিক সিস্টেম।
- তাপমাত্রা পরিসীমাঃ মেমরিটি -৪০°C থেকে +৮৫°C পর্যন্ত শিল্প তাপমাত্রা পরিসীমাতে কাজ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।
- এই বিস্তৃত তাপমাত্রা পরিসীমা বিভিন্ন পরিবেশে নির্ভরযোগ্য অপারেশন সক্ষম করে।
